卓越的热稳定性。出色的化学惰性。晶体结晶清晰。
在高温晶体生长过程中（尤其是 Czochralski 法），精度和性能始于材料水平。Kennametal 的热压氮化硼 (hBN) 陶瓷具有出色的热阻和电绝缘性，相比传统氧化物基材料，可实现更快热循环，具备更佳使用性能。
什么是 Czochralski 法？
Czochralski 法是一种广泛用于生长大型、高纯度单晶的工艺，在半导体、太阳能和光学行业中至关重要。该技术由波兰科学家 Jan Czochralski 于 1916 年发明，可精确控制晶体结构和纯度，已成为生产单晶硅片的行业标准。
Czochralski 法如何运作？
在 Czochralski 炉中，硅等高纯度材料在逾 1400°C 的温度的坩埚中熔化。将经过定位的小籽晶浸入熔融材料，使其在旋转中缓慢向上提拉。这种受控运动使熔融材料在籽晶上凝固，形成被称为晶锭或锭的圆柱形单晶。坩埚亦可反向旋转以优化热场分布。
Czochralski 法的应用
Czochralski 法是生产单晶硅最常用的技术，单晶硅是集成电路、智能手机和太阳能电池的基础材料。Czochralski 法也可用于生长合成宝石、蓝宝石以及光学晶体，以满足高性能应用的需求。
为何选择 Kennametal hBN 进行晶体生长？
在 1500°C 以上的真空或惰性环境下运行的晶体提拉系统中，Kennametal 的氮化硼产品在可靠性和生产率方面具有关键优势：
- 在极端温度下保持稳定 – 我们的 hBN 材质可在 1500°C 以上的真空/惰性环境下工作，其中 Al₂O₃ 和 SiO₂ 开始降解或反应。
- hBN 是一种出色的电气绝缘体。hBN 的介电强度显著优于氧化铝。
- 更短加工节拍 – hBN 可实现快速加热和冷却，助您在不牺牲质量的前提下缩短生产周期。
- 更长刀具寿命 – 卓越的耐热冲击和耐化学腐蚀性意味着更少组件更换和更短停机时间。
Czochralski 炉常见应用
经精密加工，Kennametal hBN 陶瓷可满足以下晶体生长炉环境中的严苛应用：
- 用于电极和加热系统的绝缘管
- 用于热电绝缘的垫圈和垫片
- 用于恶劣环境中热电偶的保护管
单晶生长的推荐材质
我们拥有以下用于单晶生长应用的高性能氮化硼材料：
- BN6000、BN8000 和 BN9000 – 推荐用于在热循环中实现高热性能、最小反应性和结构稳定性。
- BN5000 和 BN7000 – 适合的替换品，具体取决于应用的特定要求。
无论您是生产硅、蓝宝石还是复合晶体，Kennametal 的 hBN 解决方案都可用于提高每个批次的纯度、精度和生产率。
